{"id":5541,"date":"2016-03-28T17:33:28","date_gmt":"2016-03-28T23:33:28","guid":{"rendered":"http:\/\/cienciauanl.uanl.mx\/?p=5541"},"modified":"2016-04-14T14:29:03","modified_gmt":"2016-04-14T19:29:03","slug":"materiales-que-revolucionan-la-nanoelectronica","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/cienciauanl.uanl.mx\/?p=5541","title":{"rendered":"Materiales que revolucionan la nanoelectr\u00f3nica"},"content":{"rendered":"<p style=\"text-align: left;\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" class=\"alignnone wp-image-5542 size-large\" src=\"http:\/\/cienciauanl.uanl.mx\/wp-content\/uploads\/2016\/03\/nanoelectronica_materiales-1024x585.jpeg\" alt=\"nanoelectronica_materiales\" width=\"1024\" height=\"585\" srcset=\"https:\/\/cienciauanl.uanl.mx\/wp-content\/uploads\/2016\/03\/nanoelectronica_materiales-1024x585.jpeg 1024w, https:\/\/cienciauanl.uanl.mx\/wp-content\/uploads\/2016\/03\/nanoelectronica_materiales-300x171.jpeg 300w, https:\/\/cienciauanl.uanl.mx\/wp-content\/uploads\/2016\/03\/nanoelectronica_materiales-768x439.jpeg 768w, https:\/\/cienciauanl.uanl.mx\/wp-content\/uploads\/2016\/03\/nanoelectronica_materiales.jpeg 1750w\" sizes=\"auto, (max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" \/><\/p>\n<p style=\"text-align: right;\">CIENCIA UANL \/ A\u00d1O 19, No. 77, ENERO-FEBRERO 2016<\/p>\n<p>Los transistores \u2013que revolucionaron la electr\u00f3nica a mediados del siglo pasado\u2013 se basan en uniones de materiales semiconductores, con una carga el\u00e9ctrica que fluye entre ellos. Su tama\u00f1o ha tenido que disminuir a proporciones diminutas, hasta los 15 nan\u00f3metros, para no quedarse atr\u00e1s en la vertiginosa carrera emprendida por la computaci\u00f3n.<\/p>\n<p>\u201cLa tecnolog\u00eda se ha tenido que enfrentar a los l\u00edmites\u00a0de validez de las leyes f\u00edsicas que gobiernan estos flujos de la carga\u201d, explica Jacobo Santamar\u00eda, director del Grupo de F\u00edsica de Materiales Complejos de la Universidad Complutense de Madrid (UCM).<\/p>\n<p>Desde hace unas d\u00e9cadas, la f\u00edsica de materiales trata de buscar nuevos materiales y efectos que, en un futuro, sustituyan o complementen a los actuales para mantener el ritmo de crecimiento de la computaci\u00f3n.<\/p>\n<p>En este contexto, uno de los campos en expansi\u00f3n es el de los \u00f3xidos complejos de metales de transici\u00f3n. En un estudio publicado en Nature Physics, un equipo internacional de cient\u00edficos, del que forma parte Santamar\u00eda y otros f\u00edsicos espa\u00f1oles, ha analizado estos materiales, cuyas propiedades a\u00fan no se comprenden bien.<\/p>\n<p>En la investigaci\u00f3n, los cient\u00edficos analizan las uniones entre estos \u00f3xidos, en las que ocurren flujos de carga similares a las de los semiconductores en los transistores, pero gobernadas por leyes f\u00edsicas m\u00e1s complejas y que a\u00f1aden una mayor versatilidad y posibilidades de control.<\/p>\n<p>Referencia bibliogr\u00e1fica: M. N. Grisolia, J. Varignon, G. S\u00e1nchez-Santolino, A. Arora, S. Valencia, M. Varela, R. Abrudan, E.Weschke, E. Schierle, J. E. Rault, J.-P. Rue, A. Barth\u00e9l\u00e9my, J. Santamar\u00eda y M. Bibes. \u201cHybridization-controlled charge transfer and induced magnetism at correlated oxide interfaces\u201d, Nature Physics, 25 de enero de 2016. DOI: 10.1038\/NPHYS3627.<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>CIENCIA UANL \/ A\u00d1O 19, No. 77, ENERO-FEBRERO 2016 Los transistores \u2013que revolucionaron la electr\u00f3nica a mediados del siglo pasado\u2013 se basan en uniones de materiales semiconductores, con una carga el\u00e9ctrica que fluye entre ellos. Su tama\u00f1o ha tenido que disminuir a proporciones diminutas, hasta los 15 nan\u00f3metros, para no quedarse atr\u00e1s en la vertiginosa carrera emprendida por la computaci\u00f3n. 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